中国、野望頓挫か…海外企業「爆買い」失速、悲願の半導体量産が大金積んでも失敗

　坂本氏は「日本、台湾、中国で計1000人規模の技術者」を集め、中国人技術者に量産工場の立ち上げやDRAM量産を任せる計画なのかもしれない。しかし、数百人規模のチームワークが必要なプロセス開発や量産立ち上げは、中国人には無理だと考えられる。

　しかし、賽は投げられた。目論み通りDRAM生産が軌道に乗るとは思えないが、技術者の募集と量産工場建設は進み始めているようだ。

中国XMCが3次元NAND工場建設へ

　米国の半導体情報サイト「EE Times」によれば、中国のファンドリーXMC（Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing）が今年3月末、3次元NANDフラッシュメモリの新工場の建設に着手すると発表した（3月28日）。同社は現在、NOR型フラッシュメモリを製造中で、ウエハ生産能力は月産約2万枚であると報道されているが、真偽は不明である。

　さらに電子デバイス産業新聞によれば、「XMCが3次元NANDの試作に成功しており」（4月17日）、18年に3次元NANDの量産開始を目指し、総額2.7兆円を投じて月産20万枚のウエハを生産する計画であるという。

　ここでも、サイノキングと同様に問題が2つある。

　第1の問題は、XMCがどこから3次元NANDの技術を入手したのかということである。電子デバイス新聞は、「XMCが3次元NANDの試作に成功」と書いているが、真に受けるのは難しい。

　なぜなら、現在NANDのプレーヤーは4社あるが、各社におけるNANDに占める3次元NANDの割合は、サムスン電子（40.8％）、SK Hynix（3.3％）、東芝・サンディスク（5.4％）、マイクロン・インテル（17.6％）となっている（前出EE Times記事より）。

　13年7月に量産を宣言した東芝ですら、いまだに5.4％しか3次元NANDをつくることができていない。それほど、3次元NANDの製造は難しいのである。それゆえ、中国のファンドリーのXMCがいきなり自力で「3次元NANDの試作に成功」するとは考えにくい。

　他方、調査会社DIGITIMES Researchの14年10月13日付レポートには、「米スパンション（Spansion）が3次元 NANDフラッシュメモリ技術をファンドリーの中国XMCに提供する」との記載があったが、これも疑わしい。

　というのは、スパンションとは1993年に富士通と米AMDによる合弁会社として設立され、主としてNORフラッシュメモリの開発と生産を行っていた。しかし、NANDには実績がない。そして、業績不振により10年にスパンションは倒産している。そのような会社が、果たして5年程度で3次元NANDの開発を完成することができるのだろうか。